紫光发力存储产业链 面向全球发布全线闪存产品

w66利来

2018-10-19

紫光发力存储产业链面向全球发布全线闪存产品峰会,向全球闪存界展示了一个全新的存储公司及产品。

在本次FMS(FlashMemorySummit闪存峰会)峰会上,紫光存储向全球发布了企业级NVMe产品P8160、P8130、企业级SATASSD产品S6110、消费类NVMeSSD产品P5120、渠道SATASSD产品S100、渠道NVMeSSD产品P100、嵌入式产品eMMC、UFS全系产品。 全系产品中P8160为高性能低延时产品,面向高端企业级客户;P8130为低功耗产品,面向于存储系统客户;S6110主要面向有低成本系统升级需求的企业级客户;P5120为消费类产品,主要满足笔记本等OEM厂商的应用需求;S100,P100为渠道产品,主要针对个人消费者。

嵌入式产品eMMC,UFS应用于手机、平板等产品当中。 在本次展会中,紫光存储先后参加了三场技术交流,充分向国际专家、客户与合作伙伴展现了紫光存储在过去一段时间内,在闪存领域的研发成果。 在ChinaSession上,做了关于《NAND结构对控制器架构的影响》的技术交流。

主要介绍了NANDcell的信道模型特性,以及由此引入噪声补偿降低cell电压判决的错误率。

根据当前NAND不同的PEcount,对应地选取不同的page存储有效数据,从而延长NAND的使用寿命。 这些从NAND本身的特性引入的使用方式对控制器的结构产生了相应的影响。

在NVMeSession上,紫光存储做了关于《多盘聚合扩展NVMe性能》的演讲,详细描述了MDF控制器在RAID5使用上带来的好处。 在FlashControllerSession上,紫光存储做了关于《可编程Flash仿真系统》的演讲,描述了紫光DERA自主设计的可编程的仿真系统,该系统用于控制器功能验证及分析,大大简化了验证的难度。 图片声明:如果我们使用了您的图片,请作者与本站联系索取稿酬。

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